Záleží nám na vašom súkromí
Pomocou súborov cookie a súvisiacich technológií, ako aj spracovaním vašich údajov môžeme lepšie prispôsobiť zobrazovaný obsah vašim potrebám.Udelením súhlasu s ukladaním informácií na vašom koncovom zariadení alebo s prístupom k informáciám a spracovaním údajov, a to aj v oblasti profilovania, trhu a štatistickej analýzy, budete môcť na stránkach Allegro ešte ľahšie nájsť presne to, čo hľadáte a čo potrebujete.Správcami vašich údajov bude spoločnosť Allegro, ako aj niektorí partneri, s ktorými spolupracujeme.
Jednoduchšie používanie našich stránok, zobrazovanie a meranie personalizovaného obsahu a reklám, vytváranie štatistík a zlepšovanie funkčnosti.Súhlas je dobrovoľný. Môžete ho kedykoľvek odvolať alebo obnoviť v záložke Nastavenia súborov cookie na hlavnej stránke. Odvolanie súhlasu nemá vplyv na zákonnosť spracovania vykonaného pred odvolaním.
zásady používania súborov cookiezásady ochrany osobných údajovĎalšie produkty od tohto predajcu
- 10,65 €
- Kurz Evy Chodakowskej: Skalpel DVD
- od 0 € so
Opis
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие
РАЗДЕЛ 1. ТЕОРИЯ
МАТРИЧНЫХ
БИС
И СБИС
ЭВМ
Глава 1. Быстродействие БИС.
1.1. Асимптотический сигнал в логических цепях БИС.
1.2. Предельное быстродействие ЛЭ БИС
1.3. Оптимальное быстродействие ЛЭ БИС
1.4. Прогноз роста быстродействия БИС высокопроизводительных ЭВМ
Сл
5
5
LO
IN 12 Te 1 18 18 50
66848 0
14
18
I 'MM
心
Глава 2. Межсоединения БИС и СБИС
19
2.1. Зависимость числа внешних связей от степени интеграции. Соотноше- ние Рента
2.6. Энергия переключения межсоединений
2.2. Средняя длина связей
2.3. Трассировочная способность БМК
2.5. Предельная степень интеграции СБИС
2.7. Быстродействие межсоединений СБИС
2.4. Соотношение площадей межсоединений и ЛЭ на кристалле
2.8. Функциональное быстродействие СБИС
AUSUNNY
20
23
28
30
35
38
40
43
РАЗДЕЛ II. ПРОЕКТИРОВАНИЕ БАЗОВЫХ МАТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ
48
Глава 3. Схемотехника и конструкция БМК на биполярных транзисторах
49
3.1. Конструкция биполярных БМК
3.2. Базовые и периферийные ячейки на основе ЭСЛ 3.3. Базовые и периферийные ячейки на основе ТТЛ
Глава 4. Схемотехника и конструкция БМК на основе МОП-транзисторов 4.1. Характеристики и физические структуры сверхбыстродействующих по- левых транзисторов
119
588
50
62
93
120
4.2. Предельное быстродействие базовых элементов на полевых транзисто-
126
pax
4.3. Библиотека функциональных элементов
4.4. Конструктивно-технологические параметры КМОП БМК
138
184
4.5. Примеры реализации КМОП БМК высокой степени интеграции
202
РАЗДЕЛ III. ПРОЕКТИРОВАНИЕ МАТРИЧНЫХ БИС И СБИС
211
Глава 5. Основные этапы и средства автоматизированного проектирова- ния матричных БИС
212
5.1. Основные этапы проектирования матричных БИС 5.2. Разработка библиотеки функциональных элементов
212
219
5.3. Система автоматизированного проектирования матричных БИС 5.4. Функционально-логическое проектирование матричных БИС 5.5. Проектирование тестируемых и самотестируемых матричных
227
234
БИС
250
Глава 6. Топологическое проектирование БИС и СБИС
254
6.1. Основные топологические особенности современных БМК 6.2. Методы размещения макроэлементов
254
258
6.3. Методы трассировки связей между макроэлементами Список литературы
Karton 222
Kupujete s Allegro Protect. Všetky nákupy s vrátením peňazí do 48 h. Zobraziť podrobnosti
Niektoré texty boli preložené automaticky. Dajte nám vedieť, ak ste si všimli jazykovú chybu.
Prezeráte si ponuky produktu Matryca LSI ,VLSI Kolektívna práca. Vidíte ponuku iného produktu? Nahláste nám to